IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor (絕緣閘雙極電晶體)
概念股
| 市場 | 公司 |
|---|---|
| 美股 | ON Semiconductor (ON) |
| 歐股 | Infineon (IFX) |
| STMicroelectronics (STM) | |
| 日股 | 三菱電機 (6503) |
| 富士電機 (6504) | |
| 陸股 | 斯達半導 (603290) |
| 士蘭微 (600460) | |
| 時代電氣 (688187) | |
| 台股 | 朋程 (8255) |
| 鴻海 (2317) | |
| 聚鼎 (6224) |
- 核心題材:以 IGBT 為核心,專攻 高功率、低頻 電力轉換,廣泛應用於 電動車、工控、再生能源。
- 國際大廠
- 美股:ON Semiconductor
- 歐股:Infineon、STMicroelectronics
- 日股:三菱電機、富士電機。
- 陸股:斯達半導、士蘭微、時代電氣。
- 台股:朋程、鴻海、聚鼎。
國際大廠
- 核心定位:全球核心,掌握 IGBT 模組、車用逆變器 的全球主導地位。
- 美股:
- ON Semiconductor:主攻 車用、工控 領域的 IGBT 模組,同時大力佈局 SiC。
- 歐股:
- Infineon:全球 IGBT 模組市佔率第一,在 車用逆變器、工控變頻器 領域具備絕對主導地位。
- STMicroelectronics:全球 車用半導體、IGBT 巨頭,產品覆蓋 車用、工控、家電。
- 日股:
- 三菱電機:日本 IGBT 模組龍頭,在 鐵路機車、工業變頻器 領域具備深厚技術積累。
- 富士電機:日本功率半導體大廠,IGBT 模組廣泛應用於 電力系統、工業控制。
陸股
- 核心定位:積極推進 IGBT 國產替代,在 電動車、工控 領域快速擴產。
- 斯達半導:中國 IGBT 模組龍頭,主攻 電動車、工控 領域,為中國 IGBT 國產替代的代表。
- 士蘭微:中國綜合型半導體 IDM 大廠,在 IPM 模組、IGBT 領域市佔領先。
- 時代電氣:中車集團旗下,專攻 鐵路牽引、電動車 IGBT 模組,為中國高鐵 IGBT 核心供應商。
台股
- 核心定位:以 IGBT 模組開發、車用高壓元件 為主。
- 朋程:積極切入 IGBT 元件開發,同時佈局車規 高功率二極體、高壓模組。
- 鴻海:佈局車用 IGBT 模組,配合集團電動車策略。
- 聚鼎:發展 IGBT 散熱防護,為模組封裝關鍵材料供應商。
定義
- 核心概念:結合 MOSFET、BJT 特性的高階 功率半導體 元件。
- 主要功能:作為電子電力開關,負責高功率電能的 精準轉換、流向控制。
- 運作定位:專為承受 高電壓、大電流 設計,填補傳統元件在 切換速度、導通電阻 間的技術空缺。
核心架構
- 物理結構:由四層交替的半導體層組成,透過 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 閘極結構進行控制。
- 運作機制:施加正電壓於閘極建立導電通道,啟動 集極、射極 之間的大電流流動。
- 驅動方式:具備電壓驅動特性,僅需微小控制電流即可切換龐大負載電流。
- 訊號控制:有效抑制內部寄生閘流體效應,確保元件單純以電晶體模式穩定運作。
技術優勢
- 綜合優勢:融合 MOSFET 的高速切換能力,並具備 BJT 的 低導通電阻、高耐流特性。
- 導通損耗:大電流狀態下飽和電壓極低,顯著降低系統運作的 能源耗損、發熱。
- 切換效能:開關頻率遠高於傳統 BJT,快速響應控制訊號並提升整體轉換效率。
- 驅動需求:閘極易驅動且無需複雜負偏壓輔助電源,大幅簡化控制電路設計。
- 運作限制:關斷時產生少數載子重組的拖尾電流現象,導致一定程度切換損耗。
應用領域
- 電動車輛:廣泛應用於電動車的 馬達驅動器、逆變器系統,精確掌控核心動力輸出。
- 消費性家電:大量導入 變頻冷氣、變頻冰箱、電磁爐,動態調節功率達最高節能標準。
- 工業控制:作為 馬達控制系統、變頻器、自動化電焊機 的核心零件,提供穩定大功率輸出。
- 綠色能源:在 太陽能逆變器、風力發電系統 中扮演關鍵角色,將直流電高效率轉換為交流電併入電網。
- 電力基礎設施:適用於 企業級不斷電系統、高壓直流輸電設備,確保電網系統的 供電穩定、安全性。
市場發展
- 技術演進:產品架構從早期穿通型發展至目前溝槽式場截止技術,持續朝 更小尺寸、更低損耗 邁進。
- 競爭挑戰:在追求 極高頻率、極小體積 的極端應用市場,面臨 SiC、GaN 等 第三代半導體 材料競爭。
- 產業地位:憑藉 極成熟生產製程、極高性價比、優異可靠度,未來十年內於中高功率領域仍維持市場主力地位。