關於台積電次世代先進封裝 CoPoS 的關鍵

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關於台積電次世代先進封裝 CoPoS 的關鍵

• 量產目標：預計 2H28 量產，目標提升 > 9.5x 光罩尺寸的封裝量產經濟性，Nvidia AI 晶片 Feynman 可能首度採用。
• 玻璃應用場景：
  • 臨時玻璃載具：尺寸 310 x 310 mm (Glass Carrier)。
  • 玻璃核心載板：尺寸 250 x 250 mm (測試)／510 x 515 mm (量產) 的玻璃面板，加工後切割為玻璃核心載板 (Glass Core Substrate)。
• 載板架構設計：
  • 三層結構：以玻璃為核心層，上下以 ABF (ABF-GCP) 增層包覆。
  • 加工挑戰：包含 TGV (Through Glass Via)、填銅／金屬化 (Metallization) 等階段。
• 錯誤論述澄清：
  • 採用非玻璃中介層：互連角色由晶片側 RDL、玻璃核心載板側 TGV／ABF 增層分別承接。
  • 玻璃未取代 ABF：玻璃、ABF 兩者並存。
  • 晶片未放玻璃上：晶片貼附於玻璃核心載板的 ABF 增層表面。
• 競爭優勢延續：CoPoS 將強化台積電先進封裝優勢，預期能見度可達 2032 年。

專有名詞

• CoPoS：台積電開發的次世代先進封裝技術。
• ABF：一種高性能有機建構膜，常用於半導體晶片載板。
• TGV：玻璃通孔技術，在玻璃基板上鑽孔以實現電氣連接。
• RDL：重新佈線層，用於調整晶片接點位置以利封裝互連。
• Interposer：中介層，位於晶片與載板之間，用於電氣連接與緩衝。
• Metallization：金屬化，指在絕緣材料表面形成導電金屬層的製程。