SK Hynix Semiconductor Inc. (SK 海力士)

時間軸

2026-07-13

• 正式常規交易：結束附條件交易，交易代碼由臨時代碼 SKHYV 正式變更為 SKHY。

2026-07-10

• 美股掛牌首日：首日掛牌那斯達克 (Nasdaq) 並發行 ADR，初期以臨時代碼 SKHYV 進行 when-issued 附條件交易。
• 首日漲勢強勁：開盤價約 170 美元，相較定價上漲 +14%，收盤價 168.01 美元，單日漲幅約 +(12~13)%。
• 溢價結構確立：首日溢價迅速擴大至約 +15%，因南韓政府實施單向通道資本管制，使套利機制失效，預期溢價將長期存在。
• 投資風險評估：下單前需確認產品類型與市場，並評估 產能稀釋毛利、兩地折溢價、美中出口管制 等潛在風險。

2026-07-09

• 宣布發行 ADR：計畫於那斯達克掛牌並發行最多約 1779 萬新股。
• 募資認購熱烈：募資規模達 (265~280) 億美元，認購倍數大於 7 倍，定價為 149 美元。
• 換股比例確定：每 1 單位普通股對應 10 單位 ADR。

2026-07-08

• 韓股暴跌熔斷：即便三星財報展望佳，雙巨頭股價仍急殺，SK 海力士盤中重挫逾 -11%，一度引發熔斷。
• NAND 技術競爭：積極推進新一代 3D NAND 技術，良率、成本控制、客戶採用速度 為後續競爭焦點。
• 台韓半導體崛起：台灣與南韓分別由 台積電、三星、SK 海力士 等龍頭主導，推升出口數據與股市市值創高。
• 市值高度集中：南韓經濟高度依賴兩大記憶體廠，HBM 需求爆發帶動企業市值突破 1 兆美元，台灣則由台積電主導。

2026-07-07

• 政策導向投資：南韓半導體產業升級，政府偕同三星與 SK 海力士投入 3700 兆韓元發展記憶體。
• 同步擴充產能：因應長期 AI 市場需求，Micron、三星與 SK 海力士均啟動新一輪擴產。
• 超級項目核心：三星與 SK 海力士規劃新增四座晶圓廠，投入 800 兆韓元強化半導體基礎。
• 基礎設施隱憂：Meta 出租閒置 AI 算力，引發市場對基礎建設需求降溫之疑慮。

公司概況

• 創立背景：南韓半導體廠，創立於 1983 年。
• 市占地位：全球第二大 DRAM 製造商。
• 主要業務：全球 NAND 快閃記憶體主要供應商之一。

主要產品

• DRAM 產品：應用於 電腦、伺服器、行動裝置 等設備。
• NAND 產品：應用於 行動裝置、固態硬碟 等存儲設備。
• 其他半導體：生產 圖像感測器、射頻晶片 等元件。

未來展望

• 市場成長看好：預期記憶體市場將持續增長。
• 研發投入持續：持續投資研發 新技術、新產品。
• 企業發展目標：致力成為全球領先的半導體解決方案供應商。