Pseudo Static Random Access Memory

定義

• 全名：虛擬靜態隨機存取記憶體。
• 核心本質：披著 SRAM 外皮的 DRAM，內核為 DRAM 架構，但介面與操作邏輯偽裝成 SRAM。
• 設計目的：結合 DRAM 的高密度低成本與 SRAM 的介面易用性，填補兩者間的市場空缺。

PSRAM 的技術原理：為何稱為「Pseudo (偽)」？

• 內核結構：採用與 DRAM 一致的 1T+1C (單電晶體 + 單電容) 結構，資料需定期刷新。
• 成本優勢：相比 SRAM 需 6 個電晶體 (6T)，PSRAM 單位面積儲存密度極高，成本顯著較低。
• 介面封裝：將刷新電路直接內建於晶片 (Built-in Refresh Circuit)，不需外部控制器發送指令。
• 操作邏輯：對外部處理器而言無須管理刷新，操作如同靜態 SRAM，故稱「偽靜態」。

PSRAM 與 SRAM、DRAM 的關鍵差異

PSRAM 在 Edge AI 與市場炒作中的角色

• 市場話題：因 LPU 強調 SRAM 概念導致資金外溢，轉向技術沾邊的 PSRAM 廠商 (如：愛普 AP Memory)。
• 實際應用：雖非高效能 On-chip Memory，但在 TinyML (微型機器學習) 領域至關重要。
• 適用場景：智慧手錶語音辨識、IoT 監視器等 MCU 架構裝置，解決標準 DRAM 功耗過高與 SRAM 容量不足的問題。
• 關鍵地位：不會取代高階 AI 應用，但在低功耗、低成本的邊緣 AI 裝置端是關鍵解決方案。