IC 載板

Integrated Circuit Substrate (IC 載板)

時間軸

2026 年：
- 隨著 AI 晶片封裝面積擴大、高階 ABF 載板層數增至 > 20 層，加上原材料供應、部分轉單效應，台日載板三雄迎來高階產能供不應求、報價上行週期。
2024 年：
- 消費性電子市場經歷長達 2 年的去庫存低潮，一般型 BT 載板、中低階 ABF 產能利用率觸底後逐步復甦，晶片大廠加速向 3D 封裝、玻璃基板研發過渡。
2020~2022 年：
- 因疫情期間遠距辦公、雲端運算、高運算晶片需求爆發，ABF 載板爆發史上最大缺貨潮，國內外大廠如：欣興、南電、景碩、味之素等紛紛宣布巨額資本支出擴產。
1990 年代末：
- 隨著半導體製程進步至 BGA (球柵陣列)、FC (覆晶封裝) 封裝，傳統金屬導線架無法承載過多導腳、細間距需求，IC 載板正式崛起成為主流高密度封裝基材。

概念股

供應鏈位階	產業鏈角色	公司	核心產品、業務	產業競爭利基、護城河
上游原材料	絕緣增建膜、樹脂	味之素	ABF (Ajinomoto Build-up Film) 增建膜材料	全球高階 ABF 載板膜材市佔率近 90%，為先進封裝不可或缺的壟斷性基材
	銅箔基板、特殊玻纖	台光電	高階無鹵素、高頻高速 CCL 銅箔基板	AI 伺服器、高階封裝基材市佔領先，具備極佳耐熱、超低損耗介電特性
	特殊化學品、雷射鑽孔	昇貿	半導體封裝錫膏、焊接材料	提供高密度封裝所需之超細顆粒焊料、先進連接材料
中游製造商	高階 ABF、BT 載板	欣興	AI 晶片、GPU、CPU 用高層數 ABF 載板	全球 IC 載板產值龍頭，與國際 AI 巨頭深度合作高階 CoWoS 封裝基板
		南電	網通、高速運算、車用 ABF／BT 載板	台塑集團奧援，在高階網通 ASIC 載板、多層板技術開發具備高良率
		景碩	智慧手機 AP 晶片 BT 載板、高頻記憶體、ABF	和碩集團成員，於行動裝置 BT 載板市佔極高，並持續擴大 AI 高層板產能
	日本高階載板大廠	揖斐電	國際 GPU／CPU 晶片廠頂級封裝 ABF 載板	全球技術位階最高之載板供應商，長期掌握 Nvidia、Intel 最尖端高層板訂單
下游晶片、封測	先進封裝、晶圓代工	台積電	CoWoS、SoIC 等先進封裝、中介層整合	全球晶圓代工、先進封裝霸主，主導高階 ABF 載板、矽中介層之最終組裝規格
	封測大廠	日月光投控	FC-BGA、SiP、2.5D／3D 先進封裝測試	全球 OSAT 龍頭，大量採購載板進行各式高密度 IC 晶片之最終封裝、測試

美股、海外

味之素：掌握全球絕大多數 ABF 積層膜原材料供應，技術專利密不透風，為半導體高階封裝最關鍵的上游咽喉。
揖斐電：日本高階載板領導品牌，專注於極高層數、超大面積 AI 晶片封裝基板，為美系運算晶片大廠核心首選供應商。

台股

欣興：全球 IC 載板規模領頭羊，產能配置多元，且在 AI 加速器高階 ABF 載板領域具備極強競爭力、量產良率。
南電：專注於高階網路通訊晶片、高效能運算載板之製程優化，客戶涵蓋一線美系 IC 設計巨頭。
景碩：穩居全球前列之 BT 載板領導廠商，受惠於記憶體、行動晶片規格升級，同時加速 ABF 高階產能轉型。
台積電：雖非載板製造商，卻是定義先進封裝 (CoWoS／CoPoS) 下單規格、檢驗載板品質標準的絕對核心掌控者。

定義

核心定義：IC 載板是連接矽晶片 (Die)、印刷電路板 (PCB) 的中介承載基板，主要負責導通晶片高密度的微小接點線路至外圍 PCB 的較大導腳間距，同時兼具物理保護、散熱傳導、訊號完整性維持的功能。
先進封裝關鍵樞紐：在 2.5D、3D 小晶片 (Chiplet) 封裝架構下，數個不同功能、製程的裸晶必須先高密度堆疊在矽中介層 (Silicon Interposer)／封裝基板上，再經由超多層數、精細線寬的 IC 載板傳遞對外訊號，載板的良率、產能直接決定了頂級 AI 晶片的出貨速度。

材料分類與技術差異

依原材料、應用場景，IC 載板主要分為以下類別：
- ABF 載板 (Ajinomoto Build-up Film)：採用味之素增建膜作為絕緣層。硬質半液態膠膜可透過雷射鑽孔、鍍銅工藝做到低微米等級的極細線寬線距。適合高層數、大面積封裝，主要用於 CPU、GPU、AI 加速器等高效能運算晶片。
- BT 載板 (Bismaleimide Triazine)：採用玻璃纖維複合樹脂。剛性、平整度優異，耐熱佳且防潮，不易在多次熱循環、打線 (Wire Bonding) 過程中變形，廣泛應用於智慧手機 AP、記憶體、通信晶片等中小型消費性電子封裝。
- MIS 載板：預包封多層結構，線寬最細但散熱差，主要用於高密度小型晶片。
- TBF 載板：台灣研發之增層薄膜，韌性佳、交期快、碳足跡低，目標替代日系 ABF 膜材。
技術指標比較：
- 線寬／線距 (精細度)：MIS < ABF < BT
- 散熱性：ABF > MIS
- 集成度：ABF > BT
- 應用難度：MIS > ABF > BT
產值、資本門檻：高階 ABF 載板常需製作 16~24 層的高難度積層板，且因為面積擴大 (如：> 100mm x 100mm)，單片良率隨面積、層數呈指數性下降，需要龐大的無塵室資本支出、長達數年的良率調校期。

AI 晶片封裝升級對載板的挑戰、展望

面積、層數雙重膨脹：現代 GPU、AI ASIC 為了整合更多 HBM (高頻寬記憶體)、運算核心，載板面積已達傳統晶片的 > 3~5 倍，層數 > 20 層，這導致單片載板消耗的機台加工時間 (Takt Time) 暴增，實質產能被大幅消耗。
翹曲控制、散熱極限：在超大面積、反覆高溫回流焊 (Reflow) 過程中，載板、矽晶片之間的熱膨脹係數 (CTE) 不匹配極易產生翹曲、微裂紋，廠商必須持續導入新型低熱膨脹係數介電材料，甚至向下一代玻璃核心基板 (Glass Core Substrate) 技術演進。