記憶體
Memory
- 泛指所有儲存資料的元件,包括:RAM、ROM、Flash、Cache 等。
- 記憶體產業
一般口語混用
- 一般口語習慣中,「記憶體」常直接指 RAM
- RAM (Random Access Memory):記憶體的一種,用來做短期資料暫存 (揮發性)
- 電腦、手機規格中的「記憶體」即為 RAM 容量
- 技術語境中:「記憶體」應視為更大的分類,RAM 只是其中一種
分類
分類類別 | 子類型 | 常見例子 |
---|---|---|
功能 | 主記憶體 | RAM (DRAM、SRAM、HBM)、ROM |
次記憶體 | HDD、SSD、USB | |
電源依賴性 | 揮發性記憶體 | DRAM (含 DDR、HBM)、SRAM |
非揮發性記憶體 | ROM、Flash、HDD、SSD、MRAM、ReRAM、FeRAM | |
存取方式 | 隨機存取 | RAM、ROM |
順序存取 | 磁帶 (已少見) |
根據功能分類
主記憶體 (Primary Memory)
- 作用:暫存 CPU 執行程式時所需的資料與指令
- 特性:存取速度快、容量較小
- 類型:
- RAM (隨機存取記憶體)
- DRAM (動態隨機記憶體)
- SRAM (靜態隨機記憶體)
- ROM (唯讀記憶體)
- 用於儲存韌體 (Firmware)
- 一般不可寫入或修改
- RAM (隨機存取記憶體)
次記憶體 (Secondary Memory):
- 作用:永久儲存資料與程式
- 特性:存取速度慢、容量大
- 類型:
- 硬碟 (HDD)
- 固態硬碟 (SSD)
- 光碟 (CD/DVD)
- USB 隨身碟、記憶卡
根據電源依賴性分類
揮發性記憶體 (Volatile Memory)
- 暫時儲存資料,斷電後資料消失
- RAM (隨機存取記憶體)
- DRAM (動態隨機存取記憶體) (Dynamic Random Access Memory)
- DRAM 廣泛應用於電腦、伺服器、手機等裝置的主記憶體,具有快速讀寫的特性。
- DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5
- HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM4
- SRAM (靜態隨機存取記憶體) (Static Random Access Memory)
- 常用於 CPU 的快取 (Cache) 記憶體,速度比 DRAM 更快,不過價格也較高。
- DRAM (動態隨機存取記憶體) (Dynamic Random Access Memory)
非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)
- 長期儲存資料,斷電後資料保留
- ROM (唯讀記憶體)
- 唯讀記憶體只能讀取、而不能寫入新資料,通常用於儲存不需經常變更的系統軟體、驅動程式等。
- Flash Memory (快閃記憶體)
- 快閃記憶體廣泛被應用於多種電子產品的硬碟,具備體積小、功耗低等優點,並可再分為 NAND Flash、NOR Flash 兩類型:
- NAND Flash
- NAND Flash 寫入速度快、成本較低,主要用於手機的儲存空間、固態硬碟 (Solid State Drive, SSD)、隨身碟、記憶卡等裝置
- SLC (Single-Level Cell)
- MLC (Multi-Level Cell)
- TLC (Triple-Level Cell)
- QLC (Quad-Level Cell)
- NOR Flash
- NOR Flash 讀取速度快,但寫入速度較慢、成本較高,常用於主機板上的韌體、網通設備及 IoT 系統的記憶體等。
- SLC (Single-Level Cell)
- MLC (Multi-Level Cell)
- NAND Flash
- 快閃記憶體廣泛被應用於多種電子產品的硬碟,具備體積小、功耗低等優點,並可再分為 NAND Flash、NOR Flash 兩類型:
- 其他非揮發性記憶體
- MRAM (磁阻式)
- ReRAM (阻變式)
- FeRAM (鐵電式)
根據存取方式分類
隨機存取記憶體 (Random Access)
- 可直接存取任意位址
- 類型:
- RAM
- ROM
順序存取記憶體 (Sequential Access)
- 必須按順序讀取
- 類型:
- 磁帶 (現已少見)