記憶體產業
產業分類與技術演進
- 記憶體分類
- 揮發性記憶體：如 DRAM、HBM，需持續供電
- 非揮發性記憶體：如 NAND Flash、NOR Flash，斷電不失資料
- 技術發展：
- NAND Flash：採用 SLC → QLC 技術，儲存密度↑，但壽命↓
- DRAM：由 DDR3 → DDR5 發展，頻寬↑功耗↓
- HBM：採 3D 堆疊與 TSV 技術，強化 AI/高效能需求
價格與週期特性
- 記憶體具備明顯三年週期性
- 現貨與合約價格皆受供需與庫存影響
- 漲跌常由模組廠現貨價領先反應
- 2025Q2 預期為新一波上行循環啟動點：
- NAND Flash：已見落底回升，供應緊縮有利報價上漲
- DRAM：需求溫和，供過於求持續，報價尚未反轉
重點觀察指標
- 原廠減產與投片計劃
- 合約價與現貨價變化
- QLC 滲透率提升趨勢
- AI/Edge AI 對 HBM、DDR5 帶動力
產業鏈
- 上游：
- DRAM：全球 3大原廠製造商，美光、三星、SK 海力士。
- NAND Flash：三星、SK 海力士、鎧俠 (KIOXIA)、威騰 (Western Digital)、美光
- 台灣涵蓋上游的晶圓製造與代工廠：南亞科、旺宏、華邦電
- 中游封裝測試廠：力成、南茂、華泰
- 下游模組廠：威剛、創見、宜鼎、宇瞻、十銓
記憶體概念股比較
| 所屬供應鏈 |
公司名稱 |
主力產品 / 業務 |
投資亮點或特性 |
風險或限制因素 |
| 上游原廠 |
三星 (Samsung) |
DRAM、NAND Flash、HBM |
全球龍頭、市佔高 |
產能過剩、反壟斷壓力 |
|
SK 海力士 (Hynix) |
DRAM、NAND Flash、HBM |
HBM 市佔第一、CXL 技術佈局 |
高資本支出壓力 |
|
美光 (Micron) |
DRAM、NAND Flash、CXL 記憶體 |
全球前三大製造商、技術布局完整 |
市佔壓力大 |
|
鎧俠 (Kioxia) |
NAND Flash |
日本主力供應商、技術能力強 |
市佔較小、易受日政策干擾 |
|
威騰 (WD) |
NAND Flash、SSD |
與鎧俠合作強化NAND布局 |
HDD業務整合效率挑戰 |
|
南亞科 (2408) |
DRAM 晶圓 |
DDR5佈局、與美光合作 |
DRAM報價尚未明顯反彈 |
|
華邦電 (2344) |
NOR Flash、利基 DRAM |
多元產品、全球市場布局 |
利基型市場規模較小 |
|
旺宏 (2337) |
NOR Flash |
高毛利穩定供應 |
市佔率小、成長有限 |
| 上游IC設計 |
群聯 (8299) |
NAND 控制晶片、SSD |
PCIe Gen4/5 領先、全球客戶 |
NAND 報價波動大 |
| 中游封測 |
力成 (6239) |
記憶體封裝測試 |
技術與規模效益強 |
對總體市況敏感 |
|
南茂 |
記憶體封裝測試 |
DRAM / NAND 封裝經驗豐富 |
受產業週期波動大 |
|
華泰 |
記憶體封裝測試 |
技術完整、客製彈性高 |
較難與一線大廠競爭 |
| 下游模組 |
宜鼎 (5289) |
工業級 SSD、DRAM 模組 |
工控需求成長、客製化能力強 |
工控市場波動性高 |
|
威剛 (3260) |
DRAM、SSD 模組 |
品牌力強、產品多元 |
消費性市場波動大 |
|
創見 (2451) |
SSD、隨身碟、記憶卡 |
穩定兼容性、全球客戶群 |
毛利率較低 |
|
宇瞻 |
記憶體模組 |
中小型模組廠彈性高 |
規模小，受景氣影響大 |
|
十銓 |
記憶體模組、SSD |
通路積極、品牌新興 |
品牌滲透率仍待擴展 |
投資風險
- 記憶體價格變動劇烈，景氣循環敏感
- 原廠與模組廠利潤週期不同，操作節奏需區分
- 國際政經與 AI 需求落差可能影響庫存週期與回補動能
新興記憶體
- HBM：高頻寬、低延遲、低功耗
- CXL：CPU、GPU 共享記憶體資源