記憶體
Memory
概念股
記憶體製造商 (三大龍頭)
- 全球市佔率合計 90% 以上：
台股
- 產業概況：隨著 AI 伺服器建置加速，三大原廠將大量產能轉向高頻寬記憶體 (HBM)，使傳統 DRAM 與 NAND 供給吃緊，帶動台廠供應鏈成為市場焦點。
| 產業別 | 供應鏈環節 | 公司名稱 |
|---|---|---|
| 上游 | 記憶體製造 | 南亞科 (2408)、華邦電 (2344)、旺宏 (2337) |
| 晶圓代工 | 力積電 (6770) | |
| IC 設計 | 愛普*(6531)、晶豪科 (3006)、鈺創 (5351) | |
| 控制晶片 | 群聯 (8299) | |
| 中游 | 封裝測試 | 力成 (6239)、華東 (8110)、福懋科 (8131)、南茂 (8150)、華泰 (2329) |
| 中游 | 模組品牌 | 威剛 (3260)、創見 (2451)、宜鼎 (5289)、宇瞻 (8271)、十銓 (4967)、廣穎 (4973) |
| 中游 | 測試設備 | 致茂 (2360)、德律 (3030)、蔚華科 (3055) |
| 下游 | 通路代理 | 青雲 (5386)、大聯大 (3702)、文曄 (3036)、至上 (8112)、威健 (3033)、增你強 (3028) |
上游｜晶片製造與 IC 設計
- 記憶體製造 (主流 DRAM／NAND)：南亞科、華邦電、旺宏。
- 晶圓代工：力積電。
- IC 設計 (特種／利基型)：愛普*、晶豪科、鈺創。
- 控制晶片 (記憶體介面 IC)：群聯。
中游｜封測與模組組裝
- 封裝測試：力成、華東、福懋科、南茂、華泰。
- 模組品牌：威剛、創見、宜鼎、宇瞻、十銓、廣穎。
- 測試設備：致茂、德律、蔚華科。
下游｜通路代理
- 通路代理：青雲、大聯大、文曄、至上、威健、增你強。
定義
- 泛指所有儲存資料的元件，包括：RAM、ROM、Flash、Cache 等。
一般口語混用
- 一般口語習慣中，「記憶體」常直接指 RAM
- RAM (Random Access Memory)：記憶體的一種，用來做短期資料暫存 (揮發性)
- 電腦、手機規格中的記憶體即為 RAM 容量
- 技術語境中：「記憶體」應視為更大的分類，RAM 只是其中一種
分類表格
| 分類類別 | 子類型 | 常見例子 |
|---|---|---|
| 功能 | 主記憶體 | RAM (DRAM、SRAM、HBM)、ROM |
| 次記憶體 | HDD、SSD、USB | |
| 電源依賴性 | 揮發性記憶體 | DRAM (含 DDR、HBM)、SRAM |
| 非揮發性記憶體 | ROM、Flash、HDD、SSD、MRAM、ReRAM、FeRAM | |
| 存取方式 | 隨機存取 | RAM、ROM |
| 順序存取 | 磁帶 (已少見) |
根據功能分類
主記憶體 (Primary Memory)
- 作用：暫存 CPU 執行程式時所需的資料與指令
- 特性：存取速度快、容量較小
- 類型：
次記憶體 (Secondary Memory)：
- 作用：永久儲存資料與程式
- 特性：存取速度慢、容量大
- 類型：
- 硬碟 (HDD)
- 固態硬碟 (SSD)
- 光碟 (CD/DVD)
- USB 隨身碟、記憶卡
根據電源依賴性分類
揮發性記憶體 (Volatile Memory)
- 暫時儲存資料，斷電後資料消失，如：DRAM、HBM，需持續供電
- DRAM：由 DDR3 → DDR5 發展，頻寬↑功耗↓
- HBM：高頻寬、低延遲、低功耗，採 3D 堆疊、TSV 技術，強化 AI/高效能需求
- RAM (隨機存取記憶體)
- DRAM (Dynamic Random Access Memory)：動態隨機存取記憶體，廣泛應用於電腦、伺服器、手機等裝置的主記憶體，具有快速讀寫的特性。
- DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5
- HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM4
- SRAM (Static Random Access Memory)：靜態隨機存取記憶體，常用於 CPU 的快取 (Cache) 記憶體，速度比 DRAM 更快，不過價格也較高。
- DRAM (Dynamic Random Access Memory)：動態隨機存取記憶體，廣泛應用於電腦、伺服器、手機等裝置的主記憶體，具有快速讀寫的特性。
非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)
- 長期儲存資料，斷電後資料保留
- ROM (Read-Only Memory)：唯讀記憶體，只能讀取、而不能寫入新資料，通常用於儲存不需經常變更的系統軟體、驅動程式等。
- Flash Memory：快閃記憶體，廣泛被應用於多種電子產品的硬碟，具備體積小、功耗低等優點，並可再分為 NAND Flash、NOR Flash：
- NAND Flash：寫入速度快、成本較低，主要用於手機的儲存空間、固態硬碟 (Solid State Drive, SSD)、隨身碟、記憶卡等裝置，採用 SLC → QLC 技術，儲存密度↑，但壽命↓
- SLC (Single-Level Cell)
- MLC (Multi-Level Cell)
- TLC (Triple-Level Cell)
- QLC (Quad-Level Cell)
- NOR Flash：讀取速度快，但寫入速度較慢、成本較高，常用於主機板上的韌體、網通設備及 IoT 系統的記憶體等。
- SLC (Single-Level Cell)
- MLC (Multi-Level Cell)
- NAND Flash：寫入速度快、成本較低，主要用於手機的儲存空間、固態硬碟 (Solid State Drive, SSD)、隨身碟、記憶卡等裝置，採用 SLC → QLC 技術，儲存密度↑，但壽命↓
- 其他非揮發性記憶體：MRAM (磁阻式)、ReRAM (阻變式)、FeRAM (鐵電式)
根據存取方式分類
隨機存取記憶體 (Random Access)
- 可直接存取任意位址
- 類型：RAM、ROM
順序存取記憶體 (Sequential Access)
- 必須按順序讀取
- 類型：磁帶 (現已少見)