Memory

定義

• 泛指所有儲存資料的元件，包括：RAM、ROM、Flash、Cache 等。
• 概念股：記憶體產業
• 2026-04-06_AI 記憶體存儲概念股

時間軸

• 漲價效應蔓延：記憶體、載板 漲價，現在輪到被動元件。
  • 筆記：Gooaye 股癌 2026-05-16

2026-05-21

• 籌資擴產：群聯 8 億美元 ECB、南亞科 787 億元私募相繼落地，市場把 AI 記憶體視為需要提前備戰的新一輪超級循環。
• 結構分化：南亞科、華邦電、威剛、創見回穩，但群聯因募資後評價壓力仍大跌逾 8%，資金開始區分短線股價位置與長線需求。
• 供給變數：三星罷工暫緩，但 5 月 23 日到 28 日仍要投票，美光與花旗則維持 2027 年 HBM 偏多預期。

2026-05-20

• 踩踏修正：南亞科、華邦電、旺宏、群聯、鈺創跌停，宜鼎、威剛、創見、宇瞻同步重挫，市場從追價轉向殺估值。
• 供給疑慮：長鑫存儲擴產、DDR5 規格升級，加上 2027 下半年供給暴增預警，讓供過於求風險被提前交易。
• HBM 質疑：Cerebras 架構被拿來討論是否降低 HBM 依賴，連帶衝擊 AI 記憶體的長線樂觀預期。

2026-05-19

• 分歧加劇：三星罷工風險降溫後，南亞科、創見、宇瞻走弱，但宜鼎、群聯、華邦電仍能逆勢上漲。
• 競爭變化：長鑫存儲 DDR5 已進入規模化量產，中國記憶體從技術突破走向商業落地。

2026-05-16

• 高檔震盪：南亞科跌逾 8%、華邦電與群聯同步回檔，但成交金額仍居前段，資金熱度未退。
• 重估延伸：鎧俠擬赴美上市、NAND 被納入 AI 基礎建設核心受惠股，市場開始用本益比重估記憶體。

2026-05-13

• 強弱分歧：群聯、南亞科續創高，但旺宏、威剛、宇瞻收黑，資金開始偏好高確定性龍頭。
• 供給判斷：慧榮預估 NAND 缺貨可延續至 2028 年，下半年價格仍偏多。
• 結構升級：鈺創直指 DRAM、HBM、邏輯 IC 界線模糊，市場正把記憶體當作 AI 結構性成長主線。

2026-05-12

• 全面噴發：南亞科、華邦電、群聯、創見、晶豪科、宜鼎、廣穎同步漲停，市場全面交易 AI 推理需求。
• 結構重評：記憶體主軸從報價反彈升級為 DRAM、NAND、企業級 SSD 的超級循環敘事。

2026-05-09

• 高檔震盪：旺宏、華邦電、南亞科拉回，短線獲利了結賣壓明顯。
• 長線樂觀：創見看好 DRAM、NAND 供不應求可延續至 2028 年，市場仍視為超級循環。

2026-05-08

• 族群分歧：南茂、宜鼎、群聯創高，但旺宏、晶豪科轉弱，短線資金開始挑股。
• 供給缺口：華邦電看好 DDR4、LPDDR4 缺口延續至 2028 年後，南亞科續守高檔。

2026-05-07

• DRAM 噴出：美光大漲帶動南亞科、華邦電、群聯、晶豪科同步強攻漲停。
• DDR6 研發：三星、SK 海力士、美光加速開發 DDR6，產業提早布局 2028 年後商用化。

2026-05-06

• 南亞科：收 256.5 元、成交金額 514 億元，超越台積電居台股第一；4 月營收 254.91 億元，連續第六個月創高。
• 供給缺口：華邦電看好 DDR4、LPDDR4 缺口延續至 2028 年後，傳統產品幾乎無新增產能。
• SLC NAND：華邦電新增 73 億元資本支出，支應 CUBE 解決方案、SLC NAND 需求，預期未來一年出貨量成長逾 80%。

2026-05-05

• 超級週期：三星、SK 海力士、美光約 70% 新增產能轉向 HBM，壓縮傳統 DRAM、NAND 供給。
• 報價預期：券商估 2026 Q2 DRAM、NAND 價格分別 +51%、+50%，TrendForce 估 DRAM 合約價 +58%~75%。
• 台廠受惠：南亞科 4 月營收 254.91 億元、年增 717.33%，力成上修 2026 年資本支出至 500 億元。

一般口語混用

• 一般口語習慣中，「記憶體」常直接指 RAM
  • RAM (Random Access Memory)：記憶體的一種，用來做短期資料暫存 (揮發性)
  • 電腦、手機規格中的記憶體即為 RAM 容量
• 技術語境中：「記憶體」應視為更大的分類，RAM 只是其中一種

分類表格

根據功能分類

主記憶體 (Primary Memory)

• 作用：暫存 CPU 執行程式時所需的資料與指令
• 特性：存取速度快、容量較小
• 類型：
  • RAM (隨機存取記憶體)
    • DRAM (動態隨機記憶體)
    • SRAM (靜態隨機記憶體)
  • ROM (唯讀記憶體)
    • 用於儲存韌體 (Firmware)
    • 一般不可寫入或修改

次記憶體 (Secondary Memory)：

• 作用：永久儲存資料與程式
• 特性：存取速度慢、容量大
• 類型：
  • 硬碟 (HDD)
  • 固態硬碟 (SSD)
  • 光碟 (CD/DVD)
  • USB 隨身碟、記憶卡

根據電源依賴性分類

揮發性記憶體 (Volatile Memory)

• 暫時儲存資料，斷電後資料消失，如：DRAM、HBM，需持續供電
  • DRAM：由 DDR3 → DDR5 發展，頻寬↑功耗↓
  • HBM：高頻寬、低延遲、低功耗，採 3D 堆疊、TSV 技術，強化 AI/高效能需求
• RAM (隨機存取記憶體)
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory)：動態隨機存取記憶體，廣泛應用於電腦、伺服器、手機等裝置的主記憶體，具有快速讀寫的特性。
    • DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5
    • HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM4
  • SRAM (Static Random Access Memory)：靜態隨機存取記憶體，常用於 CPU 的快取 (Cache) 記憶體，速度比 DRAM 更快，不過價格也較高。

非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)

• 長期儲存資料，斷電後資料保留
• ROM (Read-Only Memory)：唯讀記憶體，只能讀取、而不能寫入新資料，通常用於儲存不需經常變更的系統軟體、驅動程式等。
• Flash Memory：快閃記憶體，廣泛被應用於多種電子產品的硬碟，具備體積小、功耗低等優點，並可再分為 NAND Flash、NOR Flash：
  1. NAND Flash：寫入速度快、成本較低，主要用於手機的儲存空間、固態硬碟 (Solid State Drive, SSD)、隨身碟、記憶卡等裝置，採用 SLC → QLC 技術，儲存密度↑，但壽命↓
     • SLC (Single-Level Cell)
     • MLC (Multi-Level Cell)
     • TLC (Triple-Level Cell)
     • QLC (Quad-Level Cell)
  2. NOR Flash：讀取速度快，但寫入速度較慢、成本較高，常用於主機板上的韌體、網通設備及 IoT 系統的記憶體等。
     • SLC (Single-Level Cell)
     • MLC (Multi-Level Cell)
• 其他非揮發性記憶體：MRAM (磁阻式)、ReRAM (阻變式)、FeRAM (鐵電式)

根據存取方式分類

隨機存取記憶體 (Random Access)

• 可直接存取任意位址
• 類型：RAM、ROM

順序存取記憶體 (Sequential Access)

• 必須按順序讀取
• 類型：磁帶 (現已少見)