Memory

定義

• 泛指所有儲存資料的元件，包括：RAM、ROM、Flash、Cache 等。
• 概念股：記憶體產業
• 2026-04-06_AI 記憶體存儲概念股

時間軸

• 2026-05-05 2026-05-05_財報狗_台積電、華通、鴻海、南亞科焦點新聞
  • 超級週期：三星、SK 海力士、美光約 70% 新增產能轉向 HBM，壓縮傳統 DRAM、NAND 供給。
  • 報價預期：券商估 2026 Q2 DRAM、NAND 價格分別 +51%、+50%，TrendForce 估 DRAM 合約價 +58%~75%。
  • 台廠受惠：南亞科 4 月營收 254.91 億元、年增 717.33%，力成上修 2026 年資本支出至 500 億元。

一般口語混用

• 一般口語習慣中，「記憶體」常直接指 RAM
  • RAM (Random Access Memory)：記憶體的一種，用來做短期資料暫存 (揮發性)
  • 電腦、手機規格中的記憶體即為 RAM 容量
• 技術語境中：「記憶體」應視為更大的分類，RAM 只是其中一種

分類表格

根據功能分類

主記憶體 (Primary Memory)

• 作用：暫存 CPU 執行程式時所需的資料與指令
• 特性：存取速度快、容量較小
• 類型：
  • RAM (隨機存取記憶體)
    • DRAM (動態隨機記憶體)
    • SRAM (靜態隨機記憶體)
  • ROM (唯讀記憶體)
    • 用於儲存韌體 (Firmware)
    • 一般不可寫入或修改

次記憶體 (Secondary Memory)：

• 作用：永久儲存資料與程式
• 特性：存取速度慢、容量大
• 類型：
  • 硬碟 (HDD)
  • 固態硬碟 (SSD)
  • 光碟 (CD/DVD)
  • USB 隨身碟、記憶卡

根據電源依賴性分類

揮發性記憶體 (Volatile Memory)

• 暫時儲存資料，斷電後資料消失，如：DRAM、HBM，需持續供電
  • DRAM：由 DDR3 → DDR5 發展，頻寬↑功耗↓
  • HBM：高頻寬、低延遲、低功耗，採 3D 堆疊、TSV 技術，強化 AI/高效能需求
• RAM (隨機存取記憶體)
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory)：動態隨機存取記憶體，廣泛應用於電腦、伺服器、手機等裝置的主記憶體，具有快速讀寫的特性。
    • DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5
    • HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM4
  • SRAM (Static Random Access Memory)：靜態隨機存取記憶體，常用於 CPU 的快取 (Cache) 記憶體，速度比 DRAM 更快，不過價格也較高。

非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)

• 長期儲存資料，斷電後資料保留
• ROM (Read-Only Memory)：唯讀記憶體，只能讀取、而不能寫入新資料，通常用於儲存不需經常變更的系統軟體、驅動程式等。
• Flash Memory：快閃記憶體，廣泛被應用於多種電子產品的硬碟，具備體積小、功耗低等優點，並可再分為 NAND Flash、NOR Flash：
  1. NAND Flash：寫入速度快、成本較低，主要用於手機的儲存空間、固態硬碟 (Solid State Drive, SSD)、隨身碟、記憶卡等裝置，採用 SLC → QLC 技術，儲存密度↑，但壽命↓
     • SLC (Single-Level Cell)
     • MLC (Multi-Level Cell)
     • TLC (Triple-Level Cell)
     • QLC (Quad-Level Cell)
  2. NOR Flash：讀取速度快，但寫入速度較慢、成本較高，常用於主機板上的韌體、網通設備及 IoT 系統的記憶體等。
     • SLC (Single-Level Cell)
     • MLC (Multi-Level Cell)
• 其他非揮發性記憶體：MRAM (磁阻式)、ReRAM (阻變式)、FeRAM (鐵電式)

根據存取方式分類

隨機存取記憶體 (Random Access)

• 可直接存取任意位址
• 類型：RAM、ROM

順序存取記憶體 (Sequential Access)

• 必須按順序讀取
• 類型：磁帶 (現已少見)