美光 2026 財年第一季財報表現與市場展望

☘️ Article

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• 記憶體繼續缺
• hbm, dram 和 nand flash 供需緊俏。
• 由於 datacenter 缺貨，可見的未來內都無法滿足供應
• 26 hbm 已經賣光，hbm 和 dram 共用 1-beta 製程節點，使供需更緊張
• 除了擴廠之外也透過製程節點迭代來提供更多位元供給
• hbm4 用 1-beta 製程，yield ramp 比 hbm3e 時期好
• 美光主推 qlc ssd，hdd 的短缺也讓 ssd 需求更多
• 公司正轉進 1-gamma (dram) 和 gen 9 (nand)
• 毛利率達 68% ath，未來還會上升但較平緩
• 2026 construction capex yoy 100% up，用於愛達荷州、日本、新加坡和印度的廠房擴建與封裝測試設施
• 公司產品組合轉向資料中心，PC 和其他市場無法滿足所有需求

✍️ Abstract

美光 2026 財年第一季財報表現與市場展望

• 財務表現創下新高：美光在 2026 財年第一季表現優異，營收、毛利率及每股盈餘均大幅超越財測上限，總營收、DRAM、NAND、HBM 以及資料中心業務皆創下歷史紀錄。
• 市場供需極度吃緊：目前記憶體市場持續缺貨，特別是資料中心需求強勁，預計在可見的未來都無法完全滿足供應。
• HBM 供應提前售罄：2026 全年度的 HBM 供應 (包含 HBM4) 已完成價格與容量協議並全數售完。
• 市場規模預測調升：美光預計 HBM 的全體潛在市場 (TAM) 複合年均成長率 (CAGR) 到 2028 年將達 40%，市場規模從 2025 年的 350 億美元成長至 2028 年的 1000 億美元。
• 製程技術進度：HBM4 採用 1-beta 製程，其良率提升速度優於 HBM3E。公司目前正轉向更先進的 1-gamma DRAM 製程與第九代 NAND Flash。
• 產品策略與產能：公司主推 QLC SSD 以應對傳統硬碟 (HDD) 的短缺。由於 HBM 與 DRAM 共用 1-beta 製程節點，導致供應更加緊張，公司除了擴廠外也透過製程迭代增加位元供給。
• 毛利率與支出：毛利率達到 68% 的歷史新高，未來雖會上升但趨於平緩。2026 年建築資本支出 (Capex) 將成長 100%，用於美國愛達荷州、日本、新加坡及印度的設施擴建與封測設施。
• 業務重心轉移：產品組合正全面轉向資料中心市場，PC 與其他傳統市場的需求在當前資源分配下較難被優先滿足。

專有名詞

• HBM (High Bandwidth Memory)：高頻寬記憶體，透過垂直堆疊 DRAM 晶片提供超高傳輸速度，是 AI 運算加速器的關鍵組件。
• TAM (Total Addressable Market)：全體潛在市場，指某項產品或服務在理想狀態下能取得的最大市場總額。
• CAGR (Compound Annual Growth Rate)：複合年均成長率，描述特定產業或投資在一段時間內的年度平均成長比率。
• DRAM (Dynamic Random Access Memory)：動態隨機存取記憶體，電腦與伺服器中用於暫存數據的運作記憶體。
• NAND Flash：快閃記憶體，主要用於固態硬碟 (SSD) 等儲存裝置，具備斷電後資料不流失的特性。
• 1-beta / 1-gamma：美光對其 DRAM 先進製程節點的特定命名代號。
• QLC (Quad-Level Cell)：四層單元快閃記憶體，每個儲存單元可儲存 4 位元數據，能提供更高容量並降低成本。
• EPS (Earnings Per Share)：每股盈餘，企業純益除以發行在外股數，衡量公司獲利能力的指標。
• Capex (Capital Expenditure)：資本支出，指企業用於購買、維修或升級廠房與設備等固定資產的資金支出。