ASML Holding N.V.

時間軸

• 關鍵時刻：2024-2025 年是技術與地緣政治的雙重轉折點。
• 技術突破：High-NA EUV 正式商業化，Intel 率先採用。
• 市場逆風：中國市場營收佔比因出口管制從 50% 驟降至 20%。
• 成長引擎：AI 晶片與高頻寬記憶體 (HBM) 需求強勁，抵銷消費電子疲軟。

定義

• 成立與總部：1984 年成立，總部位於荷蘭 Veldhoven。
• 上市資訊：美國納斯達克 (ASML)、阿姆斯特丹泛歐交易所上市。
• 核心地位：全球半導體微影設備 (Lithography) 獨家壟斷商。
  • 微影設備市占率高達 80%，EUV 技術更是 100% 獨佔。
• 成長動能：財務表現強勁，AI 驅動長期需求，是半導體產業不可或缺的關鍵角色。
• 主要客戶：台積電、三星、英特爾
• 市值規模：截至 2025 年 12 月，市值約 4,000 億美元，為歐洲科技股市值龍頭 ，美股市值前 50 強。

技術優勢

• EUV 系統 (極紫外光)：
  • 100% 獨佔市場。
  • 7 奈米以下先進製程的唯一入場券。
• DUV 系統 (深紫外光)：
  • 營收基石，涵蓋成熟製程。
  • 面臨中國國產替代與 Canon/Nikon 的邊緣競爭。
• 整體微影解決方案：
  • 結合計量 (YieldStar) 與檢測 (HMI)，不僅賣設備，更賣「良率」。

極紫外光 (EUV) 的獨占霸權

• 技術規格：使用波長 13.5 奈米極紫外光，實現極高精度電路圖案。
• 專利壁壘：擁有逾 20,000 項專利，涵蓋光源、鏡面反射、對準技術與演算法，徹底阻絕 Nikon 與 Canon 進入先進市場。

High-NA EUV：下一代技術突破

• 為何重要：
  • 規格提升：數值孔徑 (NA) 從 0.33 提升至 0.55，解析度改善約 70%。
  • 效益優勢：2 奈米以下製程恢復「單次曝光」，降低 複雜度、時間成本，並提升良率。
• 商業進度：(2025 更新)：
  • Intel：最激進的採用者，已安裝 EXE:5200B，用於 14A 製程。
  • TSMC：採務實策略，目前僅用於 R&D，預計 A14 (1.4 奈米) 節點才導入量產 (約 2027-2028)。
  • Samsung：計畫於 2026 上半年引進量產型機台，用於 2 奈米與記憶體。

投資關注理由

• 半導體景氣風向球 (落後指標)：
  • ASML 業績反映半導體產業產能擴張狀況。
  • 設備營運通常為半導體循環的落後指標，若設備營運下滑，明確代表景氣走入衰退。
  • 關注台積電、聯發科、聯電的投資人必看。
• 台灣供應鏈前瞻指標 (領先指標)：
  • 台灣部分設備族群業務源自曝光機零組件與代工。
  • 追蹤 ASML 訂單狀況，可作為相關台廠供應鏈未來業績好壞的預判。

企業概況與商業模式

核心業務結構

• 整體市占：半導體前段設備市占率超過 20%，曝光機設備市占率 80%。
• 極紫外光微影系統 (EUV)：用於 7 奈米及更先進製程，具備 100% 獨占地位。
• 深紫外光微影系統 (DUV)：包含 ArFi、ArF、KrF 等技術平台，覆蓋成熟製程。
• 裝機售後服務：提供已交付設備的升級與維護，營收來源穩定。

關鍵市場動態

• AI 需求：執行長指出 AI 為最主要驅動力，帶動晶圓廠擴產與 EUV 訂單。
• 訂單積壓：截至 2024 年末，未交付訂單 (Backlog) 約 360 億歐元，支撐未來營收。
• 中國市場正常化：
  • 營收佔比調整：從 2024 Q3 的 47% 降至 Q4 的 27%，預計 2026 年正常化至 20%。
  • 下滑原因：美荷出口管制限制 EUV 及部分 DUV 出口；前期提前採購效應結束。

企業風險評估

地緣政治與供應鏈

• 出口管制：美國與荷蘭聯合限制高階設備 (EUV、浸沒式 DUV) 銷往中國。
• 稀土供應：中國對稀土實施出口限制，可能影響 ASML 零組件供應鏈，造成出貨延遲。

技術與市場風險

• High-NA 商業化：需驗證大規模量產的可行性，若導入延遲將影響成長動力。
• 客戶集中度：台積電、三星、英特爾三大客戶資本支出決策直接左右營收。

投資建議與結論

• 核心優勢：技術壟斷 (100% EUV)、強大定價權、財務體質穩健。
• 投資策略：
  • 中短期：雖經歷中國市場調整與下半年財測波動，但 High-NA 需求將抵消影響。
  • 長期：2030 年目標明確，受惠於 AI 與半導體結構性成長。
  • 結論：基本面堅實，適合長期持有，並作為半導體景氣循環的重要觀察指標。