2026-01-12_LG開始為HBM開發混合鍵合機
| # LG 開始為 HBM 開發混合鍵合機 |
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☘️ Article
- https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=5544
- www.thelec.net
- LG starts development of hybrid bonder for HBM - THE ELEC, Korea Electronics Industry Media
- LG Electronics was developing an alpha version of a hybrid bonding stack equipment, also known as a bonder, for high-bandwidth memory (HBM), TheElec has learned.The project was backed by the Minist...
✍️ Abstract
LG 開始為 HBM 開發混合鍵合機
- LG 電子正在開發用於高頻寬記憶體 (HBM) 的混合鍵合堆疊設備原型版本。
- 該項目獲得韓國產業通商資源部的支持，由 LG 生產技術研究院 (PRI) 主導開發。
- 混合鍵合技術預計將成為 HBM4 (第六代 HBM) 及其後續型號的主流封裝工藝。
- 目前 HBM 封裝主要採用熱壓非導電膠膜 (TC-NCF) 或批量回流模製底填 (MR-MUF) 技術，但隨著堆疊層數增加，混合鍵合因無需凸塊而具備空間優勢。
- 韓國政府正積極推動半導體設備國產化，旨在減少對海外特定封裝設備供應商的依賴。
- LG 電子此舉標誌著其在半導體後段工藝設備市場的佈局，意圖滿足人工智慧晶片市場對高效能儲存的需求。
專有名詞
- HBM (High Bandwidth Memory)：高頻寬記憶體，將多個 DRAM 晶片進行垂直堆疊，提供比傳統記憶體更高的數據處理速度與更低的功耗，廣泛應用於 AI 運算。
- 混合鍵合 (Hybrid Bonding)：一種先進封裝技術，將晶片直接以銅對銅的方式連接，不需使用傳統的焊球凸塊 (Bumps)，能顯著提升電氣性能並縮減封裝厚度。
- HBM4：第六代高頻寬記憶體標準，預計將堆疊層數提升至 12 層甚至 16 層，並大幅提升數據傳輸頻寬。
- TC-NCF (Thermal Compression Non-Conductive Film)：熱壓非導電膠膜封裝技術，透過熱壓方式將晶片連接至下層晶片，並使用非導電膠膜填充間隙以提供保護與絕緣。
- MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill)：批量回流模製底填技術，在堆疊晶片後一次性注入封裝材料，有利於提升散熱性能與生產效率，為 SK 海力士採用的關鍵技術。
- LG PRI (Production Engineering Research Institute)：LG 生產技術研究院，是 LG 集團內部的核心研究單位，負責開發與製造集團內部所需的高端生產設備與自動化工藝。