2026-01-18_力積電邁向AI時代與美光科技策略合作公告
力積電邁向 AI 時代與美光科技策略合作公告
☘️ Article
- 今天，我要向大家分享一個公司發展的重要里程碑，這不僅是力積電營運策略的重大調整，更是我們走向 AI 時代的關鍵一步。
- 經 115 年 1 月 16 日董事會核准，公司將與美光科技 (Micron) 簽署意向書，計劃將銅鑼廠 (P5) 廠房，在正式合約簽定 18 個月內分階段轉讓予台灣美光，以協助美光加速並擴大其 DRAM 在台灣的佈局。P5 的設備及人員，將在不裁員、不中斷營運的情況下，陸續轉回新竹廠區。
- 此外，美光不僅以預付貨款方式預約我們的 HBM 後段晶圓製造 (PWF) 產能，將力積電正式納入其 HBM 供應鏈，與力積電建立長期的代工夥伴關係。美光也將協助力積電精進利基型 DRAM 代工事業，協助力積電切入下一代 DRAM 製程技術。透過與世界級記憶體大廠的合作，公司將得以優化自身財務結構、技術藍圖及營運體質，讓朝穏定獲利及永續發展的願景邁進。
- 在這次轉型過程中，我深知各位最關心的是自身的工作安定。
- 在此，我代表公司鄭重承諾：
- 堅持不主動裁員：公司視每一位同仁為最珍貴的資產，本次調整絕非為了縮減人力，而是為了將資源重新配置並集中於更有競爭力的戰略目標。
- P5 同仁的妥善安排：對於銅鑼廠的同仁，公司將會進行「有序遷回」的安置計畫。我們需要毎一位同仁的全力參與，並引導同仁參與更高價值的生產與技術開發工作。
- 透過這次資源的重新配置，我們將汰換新竹廠區舊有設備及低毛利產品線，強化營運效能，公司將轉型為以 AI 應用為核心的專業晶圓代工廠，並專注於高附加價值產品線如 3D AI DRAM、WoW (Wafer on Wafer)、PWF (Post Wafer Fabrication)、矽中介層 (Interposer) 與矽電容 (IPD)、PMIC、GaN/MOSFET、IGZO 及其它等應用于 AI 伺服器及 AI 邊緣運算領域的產品線。
- 這將是力積電第四次轉型，感謝每一位同仁在轉型期給予公司的信任與支持，讓我們一起開創屬於力積電的 AI 新紀元。
- 祝大家 工作順利、平安。
- 董事長 黃崇仁 敬上
- 115 年 1 月 17 日
✍️ Abstract
力積電邁向 AI 時代與美光科技策略合作公告
- 2026-01-17_美光簽署意向書收購銅鑼廠區
- 力積電董事會核准與美光科技簽署意向書，計劃於正式合約簽定後 18 個月內，分階段將銅鑼廠 (P5) 廠房轉讓予台灣美光，以協助其擴大在台 DRAM 佈局。
- 原銅鑼廠之設備與人員將在不裁員且不中斷營運的前提下，陸續有計畫地遷回新竹廠區，並投入更高價值的生產與研發工作。
- 美光將以預付貨款方式預約力積電的 HBM 後段晶圓製造 (PWF) 產能，使力積電正式納入美光 HBM 供應鏈。
- 雙方建立長期代工夥伴關係，美光將協助捕積電精進利基型 DRAM 代工事業，並導入下一代 DRAM 製程技術，優化公司技術藍圖與財務體質。
- 力積電將啟動第四次轉型，目標成為以 AI 應用為核心的專業晶圓代工廠，專注於 3D AI DRAM、WoW、矽中介層、矽電容、電源管理晶片及化合物半導體等高附加價值產品。
- 公司承諾堅持不主動裁員，將資源重新配置於 AI 伺服器及邊緣運算領域，以達成穩定獲利與永續發展的目標。
專有名詞
- HBM (High Bandwidth Memory)：高頻寬記憶體，是一種將多個 DRAM 晶片堆疊在一起的高階記憶體技術，具備高資料傳輸率與低功耗特性，廣泛應用於 AI 運算與高效能伺服器。
- PWF (Post Wafer Fabrication)：後段晶圓製造，指晶圓完成前段邏輯電路製作後的後續製程，包括金屬互連、測試、薄化或特定封裝前處理，在 HBM 生產中為關鍵環節。
- 3D AI DRAM：指透過 3D 堆疊技術將記憶體與邏輯晶片或多層記憶體整合，以提升運算效率並降低延遲，專為 AI 應用優化。
- WoW (Wafer on Wafer)：晶圓對晶圓堆疊技術，是一種先進封裝技術，直接將兩片晶圓透過分子鍵合等方式連接，可大幅提升電路密度與傳輸速度。
- Interposer (矽中介層)：一種位於晶片與電路板之間的過渡層，用於連接多個功能不同的晶片 (如處理器與記憶體)，是 2.5D 封裝技術的核心組件。
- IPD (Integrated Passive Devices)：整合型被動元件 (矽電容)，指利用半導體製程將電容、電感等被動元件整合在矽基板上，以縮小體積並提升高頻性能。
- PMIC (Power Management IC)：電源管理晶片，負責電子設備中的電能變換、分配及檢測，是確保系統穩定運作的關鍵零組件。
- GaN (Gallium Nitride)：氮化鎵，第三代半導體材料，具備耐高壓、高頻、高熱導率等優點，常應用於快充設備、電動車及 5G 通訊。
- MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)：金屬氧化物半導體場效電晶體，是一種類型廣泛的電力控制開關元件。
- IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide)：銦鎵鋅氧化物，一種薄膜電晶體技術材料，具有高電子遷移率與低功耗特性，除應用於顯示器外，也被視為未來 AI 記憶體架構的潛力材料。