HBM3E
HBM3E
定義
- HBM3E 是高頻寬記憶體 (HBM) 的第三代擴展版本,為 HBM3 的升級版。
- E 是「Enhanced」的縮寫,代表此版本在容量、頻寬、功耗和散熱方面都做了優化與提升。
- 這項技術是針對 HBM3 的改進,提供更高的傳輸速度、更大的容量,以及更好的能源效率。
重點
- 開發商:三星電子、美光科技、SK 海力士。
- 推出時間:2023 年。
- 量產時間:預計 2024 年開始。
- 主要改進:提升記憶體頻寬和容量,並降低功耗。
- 適用場景:高記憶體頻寬需求的應用,如 GPU、AI 加速器和數據中心伺服器。
性能比較 (HBM3evs. HBM3)
- 記憶體頻寬:從 5.6 Gbps 提升至 8 Gbps (+40%)。
- 記憶體容量:從 8 GB 提升至 24 GB (3 倍)。
- 功耗:從 30W 降低至 25W (-15%)。
| 特性 | HBM3 | HBM3e |
|---|---|---|
| 記憶體頻寬 | 5.6 Gbps | 8 Gbps |
| 記憶體容量 | 8 GB | 24 GB |
| 功耗 | 30 W | 25 W |
應用效益
- GPU:提高圖形渲染速度與效率,提升遊戲和影片串流性能。
- AI 加速器:加速神經網路的訓練和推理速度。
- 數據中心伺服器:提升數據傳輸速度和效率。