HBM3E

定義

• HBM3E 是高頻寬記憶體 (HBM) 的第三代擴展版本，為 HBM3 的升級版。
• E 是「Enhanced」的縮寫，代表此版本在容量、頻寬、功耗和散熱方面都做了優化與提升。​
• 這項技術是針對 HBM3 的改進，提供更高的傳輸速度、更大的容量，以及更好的能源效率。

重點

• 開發商：三星電子、美光科技、SK 海力士。
• 推出時間：2023 年。
• 量產時間：預計 2024 年開始。
• 主要改進：提升記憶體頻寬和容量，並降低功耗。
• 適用場景：高記憶體頻寬需求的應用，如 GPU、AI 加速器和數據中心伺服器。

性能比較 (HBM3evs. HBM3)

• 記憶體頻寬：從 5.6 Gbps 提升至 8 Gbps (+40%)。
• 記憶體容量：從 8 GB 提升至 24 GB (3 倍)。
• 功耗：從 30W 降低至 25W (-15%)。

應用效益

• GPU：提高圖形渲染速度與效率，提升遊戲和影片串流性能。
• AI 加速器：加速神經網路的訓練和推理速度。
• 數據中心伺服器：提升數據傳輸速度和效率。