NAND Flash Memory

定義

• 一種非揮發性快閃記憶體技術，斷電後資料不會消失。
• NAND：「NOT AND」邏輯閘的縮寫，NAND 快閃記憶體因其內部電路結構使用了這種邏輯閘而得名。
• 廣泛應用於固態硬碟 (SSD)、USB、記憶卡等儲存裝置。

主要特點

• 非揮發性：電源關閉後資料仍保留。
• 存儲容量高、成本較低，適合大容量資料存儲。
• 以區塊為單位存取資料，非位元。
• 寫入速度及壽命受限於寫入/抹除循環次數 (P/E cycles)。

種類

• SLC (Single-Level Cell)：每單元儲存 1 位元，耐用、快速、昂貴。
• MLC (Multi-Level Cell)：2 位元，容量提升，成本與耐用性降低。
• TLC (Triple-Level Cell)：3 位元，容量更高，成本與耐用性再降低。
• QLC (Quad-Level Cell)：4 位元，容量最大，成本最低，耐用性也最低。

名稱來源

• 來自「NOT AND」邏輯閘，用於控制晶片中的資料儲存單元。