PSRAM
Pseudo Static Random Access Memory
定義
- 全名：虛擬靜態隨機存取記憶體。
- 核心本質：披著 SRAM 外皮的 DRAM，內核為 DRAM 架構，但介面與操作邏輯偽裝成 SRAM。
- 設計目的：結合 DRAM 的高密度低成本與 SRAM 的介面易用性，填補兩者間的市場空缺。
PSRAM 的技術原理：為何稱為「Pseudo (偽)」？
- 內核結構：採用與 DRAM 一致的 1T+1C (單電晶體 + 單電容) 結構，資料需定期刷新。
- 成本優勢：相比 SRAM 需 6 個電晶體 (6T)，PSRAM 單位面積儲存密度極高，成本顯著較低。
- 介面封裝：將刷新電路直接內建於晶片 (Built-in Refresh Circuit)，不需外部控制器發送指令。
- 操作邏輯：對外部處理器而言無須管理刷新，操作如同靜態 SRAM，故稱「偽靜態」。
PSRAM 與 SRAM、DRAM 的關鍵差異
| 特性 | SRAM (靜態) | DRAM (動態) | PSRAM (偽靜態) |
|---|---|---|---|
| 儲存單元 | 6T (電晶體) | 1T+1C (電容) | 1T+1C (電容) |
| 成本/價格 | 極高 | 低 | 中低 |
| 容量密度 | 低 | 高 | 高 |
| 介面複雜度 | 簡單 (無控制器) | 複雜 (需控制器) | 簡單 (隱藏控制器) |
| 主要應用 | CPU Cache, LPU On-chip | PC 記憶體, 伺服器 | IoT, 穿戴裝置, 功能手機 |